檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="X光繞射"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本論文以化學汽相傳導法(Chemical vapor transport method),利用碘(Iodine)當作傳導劑成長出Mo1-xNbxS2(0 ≤ x ≤ 1)共21種系列成分化合物之單晶…
2
本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…
3
層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs,層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
4
本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體,對此系列晶體進行晶體結構分析,並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…